供應科研高純度貴金屬黃金靶材及金基合金濺射靶材Gold(Au)Targets科研及PVD涂層材料

供應科研高純度貴金屬黃金靶材及金基合金濺射靶材gold(au)targets科研及pvd涂層材料
產(chǎn)品名稱：
高純黃金及金基合金濺射靶材
牌號規(guī)格：
au01、au1、auge12、augeni11.5-5、augeni12-4、au80sn20
用途備注：
金、金鍺、金鍺鎳等濺射靶材通過磁控濺射工藝沉積在半導體芯片如gaas、gap、gan等表面，形成歐姆接觸膜、電極和連線膜?？尚纬啥喾N金屬化膜系統(tǒng)。
產(chǎn) 品 詳 情
高純貴金屬金及合金是制造半導體芯片的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。使用金靶材將金膜沉積在半導體芯片表面，形成歐姆接觸膜、電極和連線膜，可形成多種金屬化膜系統(tǒng)。該金屬氧化膜系統(tǒng)可大量應用于制造發(fā)光二極管（led），軍民用微波通信器件，航天、航空等重要領(lǐng)域用半導體化合物以及芯片太陽能電池等領(lǐng)域。
另外，我們?yōu)榭蛻籼峁┿~背板與靶材的綁定服務(wù)技術(shù)（bonding），由純銦作為中間的焊接材料使用銅底板與靶材緊密的結(jié)合，有利于靶材表面溫度的快速散掉，提高靶材的使用率。
化學成分
序號
合金牌號
主成分
au
ge
ni
ga
be
1
au1
≥99.99
2
au01
≥99.999
——
——
——
——
3
au88ge
88±0.5
余量
——
——
——
4
au83.5geni
83.5±0.5
余量
5±0.4
備注：可按客戶要求提供其它成分的產(chǎn)品。
外形尺寸(mm)
合金牌號
形狀
規(guī)格
允許偏差
厚度
允許偏差
au1、au01
圓形
100-250
±0.1
3～6
±0.2
方形
127×381
±1
3～6
±0.2
auge12、au83.5geni、
圓形
100-250
±0.3
6
±0.5
方形
127×381
±1
6
±0.5
備注：可供其它規(guī)格和允許偏差的產(chǎn)品。
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黃金及金基合金濺射靶材gold(au)targets
一、黃金靶材概述:
高純貴金屬黃金及金基合金濺射靶材gold(au)targets，作為科研及pvd（物理氣相沉積）涂層材料的佼佼者，以其**的純度、高密度的物理特性以及獨特的熔點，在半導體、光電子、航空航天等多個高科技領(lǐng)域展現(xiàn)出了非凡的應用優(yōu)勢。
我司深耕靶材領(lǐng)域十年，專注研發(fā)與生產(chǎn)，鑄就行業(yè)精品。所生產(chǎn)單材質(zhì)靶材如下：
single?elements?單材質(zhì)靶材、電子束蒸發(fā)顆粒
aluminum (al)
nickel (ni)
antimony (sb)
niobium (nb)
arsenic (as)
osmium (os)
barium (ba)
palladium (pd)
beryllium (be)
platinum (pt)
boron (b)
rhenium (re)
cadmium (cd)
rhodium (rh)
carbon (c)
rubidium (rb)
chromium (cr)
ruthenium (ru)
cobalt (co)
selenium (se)
copper (cu)
silicon (si)
gallium (ga)
silver (ag)
germanium (ge)
tantalum (ta)
gold (au)
tellurium (te)
hafnium (hf)
tin (sn)
indium (in)
titanium (ti)
iridium (ir)
tungsten (w)
iron (fe)
vanadium (v)
lead (pb)
yttrium (y)
magnesium (mg)
zinc (zn)
manganese (mn)
zirconium (zr)
molybdenum (mo)
二、材料特性：
首先，從材料特性來看，高純貴金屬黃金及金基合金濺射靶材的純度高達99.999%，這一超高的純度確保了靶材在濺射鍍膜過程中能夠沉積出極其純凈且均勻的薄膜層，有效提升了產(chǎn)品的性能與可靠性。其密度達到19.3g/cm3，使得靶材在濺射過程中能夠保持穩(wěn)定的濺射速率和均勻的濺射面積，進一步保證了鍍膜質(zhì)量。而黃金的熔點高達1064.2℃，這一特性使得靶材在高溫環(huán)境下依然能夠保持穩(wěn)定，滿足各種極端條件下的應用需求。
三、在行業(yè)中，高純貴金屬黃金及金基合金濺射靶材的應用優(yōu)勢尤為突出。
1、在半導體領(lǐng)域，它們是制造集成電路芯片的關(guān)鍵材料，通過磁控濺射工藝，將金膜沉積在半導體芯片表面，形成歐姆接觸膜、電極和連線膜，極大地提升了芯片的導電性能和穩(wěn)定性。同時，金靶材的高純度確保了薄膜層的純凈度，降低了芯片故障率，提高了產(chǎn)品的整體性能。
2、在光電子領(lǐng)域，高純黃金靶材被廣泛應用于平板顯示器、太陽能電池等產(chǎn)品的生產(chǎn)中。通過pvd技術(shù)，金膜被**地沉積在基材表面，形成透明導電層或電極層，不僅提升了產(chǎn)品的光電轉(zhuǎn)換效率，還增強了產(chǎn)品的耐候性和使用壽命。此外，金基合金靶材如auge、augeni等，通過調(diào)整合金成分，可以進一步優(yōu)化靶材的性能，滿足更多樣化的應用需求。
3、在航空航天領(lǐng)域，高純?yōu)R射靶材同樣發(fā)揮著重要作用。它們被用于制備各種高性能涂層，如耐磨涂層、防腐蝕涂層等，以提高飛機、火箭等飛行器的表面性能，延長使用壽命。金靶材的高密度和優(yōu)異的物理性能使得這些涂層能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定，為飛行器的安全運行提供有力保障。
綜上所述，高純貴金屬黃金及金基合金濺射靶材gold(au)targets以其**的純度、高密度的物理特性以及獨特的熔點，在科研及pvd涂層材料領(lǐng)域展現(xiàn)出了廣泛的應用前景和巨大的市場潛力。隨著科技的不斷發(fā)展，它們將在更多高科技領(lǐng)域中發(fā)揮更加重要的作用，推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)升級。