高真空磁控濺射鍍膜技術(shù)【地震資訊】

真空鍍膜技術(shù)作為一種產(chǎn)生特膜層的技術(shù)，在現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)生活中有著廣泛的應(yīng)用。真空鍍膜技術(shù)有三種形式：即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍膜。在這里主要講下磁控濺射鍍膜。
磁控濺射技術(shù)在市場(chǎng)中應(yīng)用非常的廣泛，各行各業(yè)物件膜層鍍膜，大多數(shù)都是采用磁控濺射技術(shù)，磁控濺射技術(shù)在真空行業(yè)也是非常的受歡迎和追捧。高真空磁控濺射鍍膜是屬于物理氣相沉積（physical vapor deposition，pvd）的一種，一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種材料；適應(yīng)用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
磁控濺射技術(shù)目前得以廣泛的應(yīng)用 ，是由該技術(shù)有別于其它鍍膜方法特點(diǎn)所決定的。其特點(diǎn)可歸納為：
靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理
-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導(dǎo)致離化電場(chǎng)的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場(chǎng)分壓增大），導(dǎo)致鍍膜效果不好；電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質(zhì)量。
-靶材和靶面接觸不良，導(dǎo)致水冷效果不好，降低鍍膜質(zhì)量。
-增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì)，保證面接觸。
距離可調(diào)整
基片和靶材之間的距離可調(diào)整，以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。
角度可調(diào)
磁控濺射靶頭可調(diào)角度，以便針對(duì)不同尺寸基片的均勻性，做精準(zhǔn)調(diào)控。
集成一體化柜式結(jié)構(gòu)
一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)：
安全性好（操作者不會(huì)觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件）
占地面積小，尺寸約為：長(zhǎng)1100mm×寬780mm（標(biāo)準(zhǔn)辦公室門是800mm寬）（傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場(chǎng)地，可以放兩臺(tái)設(shè)備。
控制系統(tǒng)
采用計(jì)算機(jī)＋plc兩級(jí)控制系統(tǒng)
安全性
-電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)
-設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能
-溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量
-檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
勻氣技術(shù)
工藝氣體采用勻氣技術(shù)，氣場(chǎng)較均勻，鍍膜較均勻。
基片加熱技術(shù)
采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi)，所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì)，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對(duì)基片加熱。
真空度較高、抽速較快
真空室內(nèi)外，全部電化學(xué)拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內(nèi)表面積減少一倍以上，鍍膜較純凈，真空度較高，抽速較快。
綜上所述便是磁控濺射關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能
1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進(jìn)樣室、鍍膜室+手套箱
2、磁控濺射靶數(shù)量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝
3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝
4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容
5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱
6、通入反應(yīng)氣體，可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜7、操作方式：手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)
工作條件
供電 ～ 380v 三相五線制
功率 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置
冷卻水循環(huán) 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置
水壓 1.5 ～ 2.5×10^5pa
制冷量 根據(jù)扇熱量配置
水溫 18～25℃
氣動(dòng)部件供氣壓力 0.5～0.7mpa
質(zhì)量流量控制器供氣壓力 0.05～0.2mpa
工作環(huán)境溫度 10℃～40℃
工作濕度 ≤50%
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
-基片托架：根據(jù)供件大小配置。
-基片加熱器溫度：根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調(diào)。
-基片架公轉(zhuǎn)速度 ：2 ～100 轉(zhuǎn) / 分鐘，可控可調(diào)；基片自轉(zhuǎn)速度：2 ～20 轉(zhuǎn) / 分鐘。
-基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。
-靶面到基片距離： 30 ～ 140mm 可調(diào)。
-φ2 ～φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動(dòng)靶控板，靶可擺頭調(diào)角度。
-鍍膜室的極限真空：6x10-5pa，恢復(fù)工作背景真空 7x10-4pa ，30 分鐘左右（新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?br>-設(shè)備總體漏放率：關(guān)機(jī) 12 小時(shí)真空度≤10pa。
鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司專注于pvd鍍膜設(shè)備,化學(xué)氣相沉積c,金剛石涂層,分子束外延mbe等