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光電探測器的原理
是由輻射引起被照射材料電導率發生改變。光電探測器在軍事和國民經濟的各個領域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，pd光電探測器哪家好，連續薄膜靶面都用高阻多晶材料，如pbs-pbo、sb2s3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。
光電探測器工作原理
光電探測器的基本工作機理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產生;(2)載流子擴散或*移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉換為電壓信號。當探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即eglt;hv，則價帶電子可以躍遷到導帶形成光電流。
當光在半導體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減，北京康冠光電光電探測器多少錢，其原因是光子在半導體中產生了吸收。半導體對光子的吸收的吸收為本征吸收，光電探測器，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測試半導體的本征吸收光譜除了可以得到半導體的禁帶寬度等信息外，還可以用來分辨直接帶隙半導體和間接帶隙半導體。本征吸收導致材料的吸收系數通常比較高，由于半導體的能帶結構所以半導體具有連續的吸收譜。從吸收譜可以看出，當本征吸收開始時，半導體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數，同時導致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接帶隙材料的吸收邊比間接帶隙材料陡峭很多，如圖 畫出了幾種常用半導體材料(如 gaas、inp、inas、si、ge、gap 等材料)的入射光波長和光吸收系數、滲透深度的關系。
光電探測技術發展概況
光電探測技術是根據被探測對象輻射或反射的光波的特征來探測和識別對象的一種技術，這種技術本身就賦予光電技術在軍事應用中的四大優點，即看得更清、打得更準、反應更快和生存能力更強。
光電探測技術是現代中廣泛使用的核心技術，它包括光電偵察、夜視、導航、制導、尋的、搜索、跟蹤和識別多種功能。光電探測包括從紫外光（0.2～0.4μm）、可見光（0.4～0.7μm）、紅外光（1～3μm，3～5μm，8～12μm）等多種波段的光信號的探測。
新一代光電探測技術及其智能化，將使相關獲得更長的作用距離，更強的單目標/多目標探測和識別能力，從而實現更準確的打擊和快速反應，硅光電探測器，在*的情況下取得的主動權。同時使裝備具有很強的自主決策能力，增強了對*，反對*和自身的生存能力。實際上，*的光電探測技術已成為一個國家的軍事實力的重要標志。
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