RR41光刻膠哪里有-RR41光刻膠-北京賽米萊德公司

光刻膠成分介紹
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光刻開始于-種稱作光刻膠的感光性液體的應(yīng)用。 圖形能被映射到光刻膠上，然后用一個(gè)developer就能做出需要的模板圖案。 光刻膠又稱光致*蝕劑，以智能管感光材料，在光的照射與溶解度發(fā)生變化。
光刻膠成份
光刻膠通常有三種成分:感光化合物、基體材料和溶劑。在感光化合物中有時(shí)還包括增感劑。根據(jù)光刻膠按照如何響應(yīng)紫外光的性可以分為兩類:負(fù)性光刻膠和正性光刻膠。
1、負(fù)性光刻膠
主要有聚酯膠和環(huán)化橡膠系兩大類，前者以柯達(dá)公司的kpr為代表，后者以omr系列為代表。
2、正性光刻膠
主要以重氮醌為感光化合物，以酚醛樹脂為基體材料。常用的有az- 1350系列。正膠的主要優(yōu)點(diǎn)是分辨率高，缺點(diǎn)是靈敏度、而刻蝕性和附著性等較差。
光刻膠的特點(diǎn)
1、在光的照射下溶解速率發(fā)生變化，利用*區(qū)與非*區(qū)的溶解速率差來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移;
2、溶解*/溶解促進(jìn)共同作用;
3、作用的機(jī)理因光刻膠膠類型不同而不同;
光刻膠按用途分類
光刻膠經(jīng)過幾十年不斷的發(fā)展和進(jìn)步，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，衍生出非常多的種類，按照應(yīng)用領(lǐng)域，rr41光刻膠哪里有，光刻膠可以劃分為印刷電路板(pcb)用光刻膠、液晶顯示(lcd)用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中，pcb 光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)水平。
(1)半導(dǎo)體用光刻膠
在半導(dǎo)體用光刻膠領(lǐng)域，光刻技術(shù)經(jīng)歷了紫外全譜(300～450nm)、g 線(436nm)、i 線 (365nm)、深紫外(duv，rr41光刻膠哪家好，包括 248nm 和 193nm)和*紫外(euv)六個(gè)階段。相對(duì)應(yīng)于各*波長的光刻膠也應(yīng)運(yùn)而生，光刻膠中的關(guān)鍵配方成份，如成膜樹脂、光引發(fā)劑、添加劑也隨之發(fā)生變化，使光刻膠的綜合性能更好地滿足工藝要求。
(2)lcd光刻膠
在lcd 面板制造領(lǐng)域，光刻膠也是*其關(guān)鍵的材料。根據(jù)使用對(duì)象的不同，可分為 rgb 膠(彩色膠)、bm膠(黑色膠)、oc 膠、ps 膠、tft 膠等。
光刻工藝包含表面準(zhǔn)備、涂覆光刻膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)*、顯影、堅(jiān)膜、顯影檢查、刻蝕、剝離、終檢查等步驟，以實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移，制造特定的微結(jié)構(gòu)。
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光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)
1、分辨率:區(qū)別硅片表面相鄰圖形特性的能力，一般用關(guān)鍵尺寸來衡量 分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
2、對(duì)比度:指光刻膠從*區(qū)到非*區(qū)過渡的陡度。對(duì)比度越好，形成圖形的側(cè)壁越陡峭，分辨率越好。
3、敏感度:光刻膠上產(chǎn)生一 個(gè)良好的圖形所需一 定波長的小能量值(或小*量)。單位:焦/平方厘米或mj/cm2.光刻膠
的敏*對(duì)于波長更短的深紫外光(duv)、*深紫外光(euv)等尤為重要。
4、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會(huì)產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的
粘滯性，rr41光刻膠報(bào)價(jià)，就有越均勻的光刻膠厚度。
5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。
6、*蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕i序中保護(hù)襯底表面。
7、表面張力:液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動(dòng)性和覆蓋。
8、存儲(chǔ)和傳送:能量可以啟動(dòng)光刻膠。應(yīng)該存儲(chǔ)在密閉、低溫、不透光的盒中。 同時(shí)必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環(huán)境。
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